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Nitride开发首款用于半导体制程曝光系统的UV LED

作者:闺苑    来源:兴安闺苑灯泡官网    2020-06-01 16:24  点击数:

据国外媒体报道,日本的氮化物半导体已经开发出波长为365纳米的紫外线

发光二极管芯片,并声称是半导体和印刷电路板工艺曝光系统的第一个紫外光源。

据报道,紫外汞灯仍用于半导体制造工艺的曝光系统中,存在待机时间长、使用寿命短、紫外照明稳定性低、开关控制不方便等功能限制的问题。此外,由于环境污染,预计《水俣公约》的实施将推动发光二极管光源取代含汞光源。

氮化物半导体公司表示,新的NS365L-9RXT紫外线波长为365纳米。

该发光二极管芯片具有高效、节能、寿命长的特点。在正向电流If为3A、直流电压Vf为4.6V的条件下,紫外输出功率为3.2W

发光二极管结构非常紧凑,尺寸为9毫米(长)x 9毫米(宽)x 8.5mm毫米(高),因此安装密度较高。

新的紫外发光二极管还具有适合半导体曝光的窄发射角。通常,为了在半导体制造过程中实现精确曝光,需要平行光。然而,由于紫外线

发光二极管光源的发光角度相对较宽(约为120),用于曝光的光量通常不足。因此,通过组合深度镜和高透射率透镜,该公司实现了小于或等于15度的光发射角。这表明紫外线

该发光二极管可以直接取代传统曝光系统中使用的紫外线光源,而无需购买新的紫外线发光二极管曝光系统。

本文链接:Nitride开发首款用于半导体制程曝光系统的UV LED

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